Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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Artikelbeschreibung
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max. Spannung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 30 V, 27 A, PQFN, IRFH8318TRPBF
Bestellnr.:
 31S3256
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFH8318TRPBF
Sofort verfügbar: 3.840 Stk. Ab Hersteller: 12 Wochen **
Gesamtpreis: 6,55 € *
10 Stk.
0,6545 €
50 Stk.
0,5593 €
250 Stk.
0,4879 €
1000 Stk.
0,4403 €
2000 Stk.
0,3927 €
N-Kanal
30 V
27 A
4.6 mΩ
3.1 mΩ
PQFN
3.6 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 60 V, 0.23 A, SOT-23, BSS138N
Bestellnr.:
 17S8698
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 BSS138N
Sofort verfügbar: 14.545 Stk. Ab Hersteller: 42 Wochen ** Nächste Lieferung: 3.000 Stk. bestätigt für 04.10.2024
Gesamtpreis: 0,23 € *
1 Stk.
0,2321 €
10 Stk.
0,1452 €
50 Stk.
0,1047 €
250 Stk.
0,0869 €
1000 Stk.
0,0750 €
N-Kanal
60 V
0.23 A
3.5 Ω
SOT-23
0.36 W
SMD
-55 °C
150 °C